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SSD2025TF

SSD2025TF

Solo per riferimento

Numero parte SSD2025TF
PNEDA Part # SSD2025TF
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.788
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SSD2025TF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSSD2025TF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SSD2025TF, SSD2025TF Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 183,65 KB)
PDFSSD2025TF Datasheet Copertura
SSD2025TF Datasheet Pagina 2 SSD2025TF Datasheet Pagina 3 SSD2025TF Datasheet Pagina 4 SSD2025TF Datasheet Pagina 5

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SSD2025TF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

51A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

ZXMP6A17DN8TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

637pF @ 30V

Potenza - Max

1.81W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

DMN2400UV-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.33A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 16V

Potenza - Max

530mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

DMHC3025LSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 15V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

317A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 158.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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