DMHC6070LSD-13
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| Numero parte | DMHC6070LSD-13 |
| PNEDA Part # | DMHC6070LSD-13 |
| Descrizione | MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.814 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMHC6070LSD-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMHC6070LSD-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
DMHC6070LSD-13, DMHC6070LSD-13 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 584,79 KB)
  
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DMHC6070LSD-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A, 2.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 731pF @ 20V |
| Potenza - Max | 1.6W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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