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BUK9K134-100EX

BUK9K134-100EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK9K134-100EX
PNEDA Part # BUK9K134-100EX
Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 8.5A 56LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 97.122
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9K134-100EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9K134-100EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK9K134-100EX, BUK9K134-100EX Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 752,29 KB)
PDFBUK7K134-100EX Datasheet Copertura
BUK7K134-100EX Datasheet Pagina 2 BUK7K134-100EX Datasheet Pagina 3 BUK7K134-100EX Datasheet Pagina 4 BUK7K134-100EX Datasheet Pagina 5 BUK7K134-100EX Datasheet Pagina 6 BUK7K134-100EX Datasheet Pagina 7 BUK7K134-100EX Datasheet Pagina 8 BUK7K134-100EX Datasheet Pagina 9 BUK7K134-100EX Datasheet Pagina 10 BUK7K134-100EX Datasheet Pagina 11

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BUK9K134-100EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs159mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds755pF @ 25V
Potenza - Max32W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.23nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

48pF @ 5V

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

APTMC120HRM40CT3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

73A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 12.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

161nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2788pF @ 1000V

Potenza - Max

375W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

AO8808A

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1810pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

BSM120D12P2C005

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 22mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 10V

Potenza - Max

780W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FDMA1032CZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A, 3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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