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APTMC120HRM40CT3AG

APTMC120HRM40CT3AG

Solo per riferimento

Numero parte APTMC120HRM40CT3AG
PNEDA Part # APTMC120HRM40CT3AG
Descrizione POWER MODULE - SIC MOSFET
Produttore Microsemi
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Disponibile 4.716
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida)
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APTMC120HRM40CT3AG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTMC120HRM40CT3AG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTMC120HRM40CT3AG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETSilicon Carbide (SiC)
Tensione Drain to Source (Vdss)1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 12.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs161nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2788pF @ 1000V
Potenza - Max375W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

SSM6L35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180mA, 100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 3V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6 (1.6x1.6)

EM6K7T2R

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT6

ALD111933SAL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.9V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.35V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ZXMHN6A07T8TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

166pF @ 40V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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