FDMA1032CZ
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| Numero parte | FDMA1032CZ |
| PNEDA Part # | FDMA1032CZ |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 1.156.296 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMA1032CZ Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMA1032CZ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDMA1032CZ Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A, 3.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 10V |
| Potenza - Max | 700mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MicroFET (2x2) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V Potenza - Max 390W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® Tipo FET 4 N-Channel, Matched Pair Funzione FET Depletion Mode Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 2.7V Vgs (th) (Max) @ Id 1.26V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 16-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 16-PDIP |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V Potenza - Max 1.25W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore Micro8™ |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1066.4pF @ 15V Potenza - Max 980mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore W-DFN5020-6 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie TrenchPLUS Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 65V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.8mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 25V Potenza - Max 3.57W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 20-SO |
