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BFG 196 E6327

BFG 196 E6327

Solo per riferimento

Numero parte BFG 196 E6327
PNEDA Part # BFG-196-E6327
Descrizione RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT223-4
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFG 196 E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFG 196 E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFG 196 E6327, BFG 196 E6327 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 60,47 KB)
PDFBFG 196 E6327 Datasheet Copertura
BFG 196 E6327 Datasheet Pagina 2 BFG 196 E6327 Datasheet Pagina 3 BFG 196 E6327 Datasheet Pagina 4 BFG 196 E6327 Datasheet Pagina 5 BFG 196 E6327 Datasheet Pagina 6

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BFG 196 E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione7.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno9dB ~ 14.5dB
Potenza - Max800mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT223-4

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Frequenza - Transizione

2.2GHz ~ 2.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB

Potenza - Max

22W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.25A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55LV

Pacchetto dispositivo fornitore

55LV

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

Guadagno

7dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

MAX2601ESA+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Guadagno

11.6dB

Potenza - Max

6.4W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

BFP640H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

40GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

12.5dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

2003

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB

Potenza - Max

12W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55BT-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55BT-1

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