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NE46134-T1-QS-AZ

NE46134-T1-QS-AZ

Solo per riferimento

Numero parte NE46134-T1-QS-AZ
PNEDA Part # NE46134-T1-QS-AZ
Descrizione RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Produttore CEL
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Disponibile 8.172
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE46134-T1-QS-AZ Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE46134-T1-QS-AZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE46134-T1-QS-AZ, NE46134-T1-QS-AZ Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 1.502,43 KB)
PDFNE46134-T1-QS-AZ Datasheet Copertura
NE46134-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 2 NE46134-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 3 NE46134-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 4 NE46134-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 5 NE46134-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 6

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NE46134-T1-QS-AZ Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione5.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Guadagno7dB
Potenza - Max2W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)250mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-89

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Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

Guadagno

10dB ~ 13.5dB

Potenza - Max

600mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD (35 micro-X)

Pacchetto dispositivo fornitore

35 micro-X

MRF5812GR2

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

Guadagno

13dB ~ 15.5dB

Potenza - Max

1.25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

2SC5065-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

12dB ~ 17dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

USM

MS1076

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

35V

Frequenza - Transizione

30MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

12dB

Potenza - Max

320W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 7A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M174

Pacchetto dispositivo fornitore

M174

BFR106E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz

Guadagno

8.5dB ~ 13dB

Potenza - Max

700mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 70mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

210mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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