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MS2248

MS2248

Solo per riferimento

Numero parte MS2248
PNEDA Part # MS2248
Descrizione RF POWER TRANSISTOR
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.400
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 27 - giu 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MS2248 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMS2248
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MS2248 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistor-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.08dB ~ 8.5dB

Potenza - Max

250W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55FW-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55FW-1

2SC5084YTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

11dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-59

UPA814T-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-SO

HFA3096B96

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

3 NPN + 2 PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V, 15V

Frequenza - Transizione

8GHz, 5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

CMPTH81 TR

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

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