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DMC3025LNS-7

DMC3025LNS-7

Solo per riferimento

Numero parte DMC3025LNS-7
PNEDA Part # DMC3025LNS-7
Descrizione MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.086
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC3025LNS-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC3025LNS-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC3025LNS-7, DMC3025LNS-7 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 563,88 KB)
PDFDMC3025LNS-7 Datasheet Copertura
DMC3025LNS-7 Datasheet Pagina 2 DMC3025LNS-7 Datasheet Pagina 3 DMC3025LNS-7 Datasheet Pagina 4 DMC3025LNS-7 Datasheet Pagina 5 DMC3025LNS-7 Datasheet Pagina 6 DMC3025LNS-7 Datasheet Pagina 7 DMC3025LNS-7 Datasheet Pagina 8 DMC3025LNS-7 Datasheet Pagina 9 DMC3025LNS-7 Datasheet Pagina 10

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DMC3025LNS-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.2A (Ta), 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Potenza - Max1.2W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V, 8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

630mA, 775mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 20V

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

DMN5010VAK-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

FDS8958B_G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.4A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6.4A, 10V, 51mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 15V, 760pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

28V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.9A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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