APTM60A11FT1G
Solo per riferimento
| Numero parte | APTM60A11FT1G |
| PNEDA Part # | APTM60A11FT1G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.868 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APTM60A11FT1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | APTM60A11FT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- APTM60A11FT1G Datasheet
- where to find APTM60A11FT1G
- Microsemi
- Microsemi APTM60A11FT1G
- APTM60A11FT1G PDF Datasheet
- APTM60A11FT1G Stock
- APTM60A11FT1G Pinout
- Datasheet APTM60A11FT1G
- APTM60A11FT1G Supplier
- Microsemi Distributor
- APTM60A11FT1G Price
- APTM60A11FT1G Distributor
APTM60A11FT1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 132mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10552pF @ 25V |
| Potenza - Max | 390W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.4A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 285pF @ 15V Potenza - Max 1.15W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.4A, 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V Potenza - Max 1.4W, 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 15V Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V Potenza - Max 48W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
