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AO4630

AO4630

Solo per riferimento

Numero parte AO4630
PNEDA Part # AO4630
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 399.192
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4630 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4630
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO4630, AO4630 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 506,11 KB)
PDFAO4630 Datasheet Copertura
AO4630 Datasheet Pagina 2 AO4630 Datasheet Pagina 3 AO4630 Datasheet Pagina 4 AO4630 Datasheet Pagina 5 AO4630 Datasheet Pagina 6 AO4630 Datasheet Pagina 7 AO4630 Datasheet Pagina 8 AO4630 Datasheet Pagina 9

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AO4630 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds670pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1170pF @ 50V

Potenza - Max

46W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

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Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A, 9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1310pF @ 10V

Potenza - Max

3.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.23nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

882.51pF @ 6V

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

65A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

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