AT25M01-SSHM-T
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| Numero parte | AT25M01-SSHM-T |
| PNEDA Part # | AT25M01-SSHM-T |
| Descrizione | IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIC |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.446 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 14 - lug 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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AT25M01-SSHM-T Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AT25M01-SSHM-T |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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AT25M01-SSHM-T Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 20MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 450ps Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 60-TWBGA (8x10.5) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5.5ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 50-TSOP II |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 12ns Tempo di accesso 12ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
