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APT200GT60JR

APT200GT60JR

Solo per riferimento

Numero parte APT200GT60JR
PNEDA Part # APT200GT60JR
Descrizione IGBT 600V 195A ISOTOP
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.346
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT200GT60JR Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT200GT60JR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APT200GT60JR Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieThunderbolt IGBT®
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)195A
Potenza - Max500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio collettore (Max)25µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce8.65nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Potenza - Max

205W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

FS150R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

GB35XF120K

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.475nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ECONO2

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FD600R06ME3_B11_S2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600A

Potenza - Max

2250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

60nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

CM75DU-24H

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

11nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

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