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GB35XF120K

GB35XF120K

Solo per riferimento

Numero parte GB35XF120K
PNEDA Part # GB35XF120K
Descrizione MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.992
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GB35XF120K Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGB35XF120K
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
GB35XF120K, GB35XF120K Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 320,03 KB)
PDFGB35XF120K Datasheet Copertura
GB35XF120K Datasheet Pagina 2 GB35XF120K Datasheet Pagina 3 GB35XF120K Datasheet Pagina 4 GB35XF120K Datasheet Pagina 5 GB35XF120K Datasheet Pagina 6 GB35XF120K Datasheet Pagina 7 GB35XF120K Datasheet Pagina 8 GB35XF120K Datasheet Pagina 9

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GB35XF120K Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Potenza - Max284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.475nF @ 30V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaECONO2
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2300A

Potenza - Max

8950W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

145nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FP100R12KT4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FD401R17KF6C_B2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

650A

Potenza - Max

3150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

27nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

BSM50GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

72A

Potenza - Max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

MG06100S-BN4MM

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Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

125A

Potenza - Max

330W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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