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APTGT35SK120D1G

APTGT35SK120D1G

Solo per riferimento

Numero parte APTGT35SK120D1G
PNEDA Part # APTGT35SK120D1G
Descrizione IGBT 1200V 55A 205W D1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.744
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGT35SK120D1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGT35SK120D1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
APTGT35SK120D1G, APTGT35SK120D1G Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 184,95 KB)
PDFAPTGT35SK120D1G Datasheet Copertura
APTGT35SK120D1G Datasheet Pagina 2 APTGT35SK120D1G Datasheet Pagina 3

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APTGT35SK120D1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)55A
Potenza - Max205W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 35A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce2.5nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaD1
Pacchetto dispositivo fornitoreD1

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR® 34 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 34

6MS24017P43W39872NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

ModSTACK™ 3

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1100A

Potenza - Max

14500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 55°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APT50GR120JD30

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

84A

Potenza - Max

417W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1.1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.55nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

PSDC217E3730833NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTCV60HM45BT3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Boost Chopper, Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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