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2N5031

2N5031

Solo per riferimento

Numero parte 2N5031
PNEDA Part # 2N5031
Descrizione RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.282
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N5031 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N5031
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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2N5031 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione400MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno12dB @ 400MHz
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 1mA, 6V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-72

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB @ 1.8GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

400mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

65 @ 15mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.5V

Frequenza - Transizione

21GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

Guadagno

12dB ~ 21dB

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DFP

SD1536-08

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.4dB

Potenza - Max

292W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M105

Pacchetto dispositivo fornitore

M105

42126

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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