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BFU660F,115

BFU660F,115

Solo per riferimento

Numero parte BFU660F,115
PNEDA Part # BFU660F-115
Descrizione RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 21.708
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU660F Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU660F,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU660F, BFU660F Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 122,95 KB)
PDFBFU660F Datasheet Copertura
BFU660F Datasheet Pagina 2 BFU660F Datasheet Pagina 3 BFU660F Datasheet Pagina 4 BFU660F Datasheet Pagina 5 BFU660F Datasheet Pagina 6 BFU660F Datasheet Pagina 7 BFU660F Datasheet Pagina 8 BFU660F Datasheet Pagina 9 BFU660F Datasheet Pagina 10 BFU660F Datasheet Pagina 11

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BFU660F Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)5.5V
Frequenza - Transizione21GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Guadagno12dB ~ 21dB
Potenza - Max225mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 10mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343F
Pacchetto dispositivo fornitore4-DFP

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CEN1107

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FMMTH10TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

330mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

MPS5179RLRAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

200W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

62144

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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