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BFU550WF

BFU550WF

Solo per riferimento

Numero parte BFU550WF
PNEDA Part # BFU550WF
Descrizione RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU550WF Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU550WF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU550WF, BFU550WF Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 296,66 KB)
PDFBFU550WF Datasheet Copertura
BFU550WF Datasheet Pagina 2 BFU550WF Datasheet Pagina 3 BFU550WF Datasheet Pagina 4 BFU550WF Datasheet Pagina 5 BFU550WF Datasheet Pagina 6 BFU550WF Datasheet Pagina 7 BFU550WF Datasheet Pagina 8 BFU550WF Datasheet Pagina 9 BFU550WF Datasheet Pagina 10 BFU550WF Datasheet Pagina 11

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BFU550WF Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione11GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.3dB @ 1.8GHz
Guadagno12dB
Potenza - Max450mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-323-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

42GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

11dB ~ 21.5dB

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 80mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

MPSH17G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

Guadagno

24dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BFP405H6740XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

75mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

MRF5812M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFY193PZZZA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz

Guadagno

12.5dB ~ 13.5dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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