25AA640AT-I/MNY
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| Numero parte | 25AA640AT-I/MNY |
| PNEDA Part # | 25AA640AT-I-MNY |
| Descrizione | IC EEPROM 64K SPI 10MHZ 8TDFN |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.948 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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25AA640AT-I/MNY Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 25AA640AT-I/MNY |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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25AA640AT-I/MNY Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 10MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.8V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 8Kb (1K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 3MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 2ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 150ns Tempo di accesso 150ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-DIP Module (18.42x37.72) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.1ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-LQFP (14x20) |
