1N5407G-T
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| Numero parte | 1N5407G-T |
| PNEDA Part # | 1N5407G-T |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.976 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N5407G-T Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N5407G-T |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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1N5407G-T Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 800V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
| Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-201AD, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 600ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia MPG06, Axial Pacchetto dispositivo fornitore MPG06 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
