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Transistor

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Disponibile
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SI5511DC-T1-E3
SI5511DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
  • Potenza - Max: 3.1W, 2.6W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile4.392
SI5511DC-T1-GE3
SI5511DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
  • Potenza - Max: 3.1W, 2.6W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile7.110
SI5513CDC-T1-E3
SI5513CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile58.914
SI5513CDC-T1-GE3
SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile78.486
SI5513DC-T1-E3
SI5513DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A, 2.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile4.266
SI5513DC-T1-GE3
SI5513DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A, 2.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile3.906
SI5515CDC-T1-E3
SI5515CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile28.212
SI5515CDC-T1-GE3
SI5515CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile3.294
SI5515DC-T1-E3
SI5515DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A, 3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile2.484
SI5515DC-T1-GE3
SI5515DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A, 3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile8.190
SI5517DU-T1-E3
SI5517DU-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
  • Potenza - Max: 8.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® ChipFet Dual
Disponibile4.104
SI5517DU-T1-GE3
SI5517DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
  • Potenza - Max: 8.3W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® ChipFet Dual
Disponibile5.058
SI5519DU-T1-GE3
SI5519DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
  • Potenza - Max: 10.4W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® ChipFet Dual
Disponibile7.254
SI5902BDC-T1-E3
SI5902BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
  • Potenza - Max: 3.12W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile4.824
SI5902BDC-T1-GE3
SI5902BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
  • Potenza - Max: 3.12W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile73.842
SI5902DC-T1-E3
SI5902DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile8.694
SI5903DC-T1-E3
SI5903DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile2.790
SI5903DC-T1-GE3
SI5903DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile2.340
SI5904DC-T1-E3
SI5904DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile6.984
SI5904DC-T1-GE3
SI5904DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile5.274
SI5905BDC-T1-E3
SI5905BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 8V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile3.960
SI5905BDC-T1-GE3
SI5905BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 8V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile2.376
SI5905DC-T1-E3
SI5905DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 8V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile3.258
SI5905DC-T1-GE3
SI5905DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 8V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile8.784
SI5906DU-T1-GE3
SI5906DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
  • Potenza - Max: 10.4W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® ChipFet Dual
Disponibile4.464
SI5908DC-T1-E3
SI5908DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile143.424
SI5908DC-T1-GE3
SI5908DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile3.294
SI5915BDC-T1-E3
SI5915BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 8V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile4.068
SI5915BDC-T1-GE3
SI5915BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 8V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile8.640
SI5915DC-T1-E3
SI5915DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 8V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 1206-8 ChipFET™
Disponibile5.112