SI5517DU-T1-GE3
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| Numero parte | SI5517DU-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI5517DU-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.058 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI5517DU-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI5517DU-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SI5517DU-T1-GE3, SI5517DU-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 170,95 KB)
  
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SI5517DU-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Potenza - Max | 8.3W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Dual |
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