Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile3.042
SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.140
SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.400
SSM3K303T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 4V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.502
SSM3K309T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.412
SSM3K310T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 4V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.030
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.408
SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.236
SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile52.902
SSM3K318T,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.960
SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile76.254
SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 123pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile3.958.194
SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 436pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile48.078
SSM3K335R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile6.372
SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 126pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile4.104
SSM3K337R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 38V 2A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 38V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile24.408
SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.2V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile780.042
SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile27.714
SSM3K341TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 6A UFM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio: 175°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile8.874
SSM3K344R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile23.400
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile7.938
SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 38V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 86pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile28.368
SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X34 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSF Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 650mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile27.024
SSM3K35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SSM Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416	Disponibile5.400
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VESM Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile8.550
SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.18A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3C Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile87.708
SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=20 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.344
SSM3K35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VESM Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile2.610
SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VESM Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile7.632
SSM3K361R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: 175°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile165.462

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