Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Record 64.903

Pagina 1809/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 34V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 119pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile45.324
SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile53.628
SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile2.268
SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X34 PB-F UFM S-MOS (LF) TRANSIST Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 86pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile5.454
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 331pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile5.580
SSM3J114TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 331pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile3.598
SSM3J117TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSII Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile8.622
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSII Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 137pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile6.714
SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4A UFM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3nC @ 4V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1484pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile3.384
SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile5.382
SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile278.262
SSM3J132TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile42.684
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 5.5A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile100.122
SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL PCH LOW ON RESISTANCE MOSF Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile55.236
SSM3J135TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.726
SSM3J140TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): +6V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile28.158
SSM3J143TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): +6V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile21.612
SSM3J144TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): +6V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile44.556
SSM3J145TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): +6V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile24.846
SSM3J14TTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSII Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 413pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.192
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile8.712
SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.568
SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.290
SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 0.1A USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: USM Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile5.652
SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VESM Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile141.240
SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.142
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile5.130
SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 335pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.384
SSM3J306T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 15V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.628
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 5A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.130

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