Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SIB406EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.95W (Ta), 10W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile7.380
SIB408DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile7.416
SIB410DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9A 8SO Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile8.046
SIB411DK-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile5.508
SIB411DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile6.534
SIB412DK-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.16nC @ 5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile4.482
SIB412DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.16nC @ 5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile7.362
SIB413DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.63nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 357pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile3.870
SIB414DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.03nC @ 5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 732pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile6.282
SIB415DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 4.17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile6.624
SIB417AEDK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 878pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile8.730
SIB417DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.75nC @ 5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 675pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile4.824
SIB417EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile7.236
SIB419DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.82nC @ 5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 562pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.45W (Ta), 13.1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile8.766
SIB422EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile4.122
SIB433EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile4.338
SIB437EDKT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® TSC75-6 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® TSC-75-6	Disponibile5.868
SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile154.686
SIB452DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 190V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile311.352
SIB455EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 8V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile6.156
SIB456DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile8.604
SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile114.786
SIB488DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile7.632
SIB800EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SC-75-6L	Disponibile5.148
SIDR140DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 79A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8150pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8DC Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8	Disponibile7.434
SIDR390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8D Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 69.9A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10180pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8DC Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8	Disponibile27.018
SIDR390DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8DC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 69.9A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10180pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8DC Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8	Disponibile3.042
SIDR392DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHAN 30V Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 82A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9530pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8DC Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8	Disponibile2.898
SIDR402DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 64.6A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9100pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8DC Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8	Disponibile6.840
SIDR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 45V PP SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Ta), 208A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8DC Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8	Disponibile4.284

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