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SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SIB417AEDK-T1-GE3
PNEDA Part # SIB417AEDK-T1-GE3
Descrizione MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.730
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Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SIB417AEDK-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSIB417AEDK-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SIB417AEDK-T1-GE3, SIB417AEDK-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 222,98 KB)
PDFSIB417AEDK-T1-GE3 Datasheet Copertura
SIB417AEDK-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SIB417AEDK-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SIB417AEDK-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SIB417AEDK-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SIB417AEDK-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SIB417AEDK-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SIB417AEDK-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SIB417AEDK-T1-GE3 Datasheet Pagina 9

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SIB417AEDK-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.5nC @ 5V
Vgs (massimo)±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds878pF @ 4V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SC-75-6L Single
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® SC-75-6L

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

675pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IXFR21N50Q

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

IRF8306MTR1PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta), 140A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4110pF @ 15V

Funzione FET

Schottky Diode (Body)

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 75W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET™ MX

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric MX

NTMFS4C50NT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

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-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

260mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.36nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27.9pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

320mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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