Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1258pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile19.931
NVTFS5116PLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1258pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile97.332
NVTFS5116PLWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 14A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1258pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile2.484
NVTFS5116PLWFTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 14A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1258pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.658
NVTFS5124PLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 8A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 18W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile24.306
NVTFS5124PLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 8A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 18W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.776
NVTFS5124PLWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 8A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 18W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile99.180
NVTFS5124PLWFTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 8A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 18W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.528
NVTFS5811NLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.622
NVTFS5811NLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.406
NVTFS5811NLWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 40A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.622
NVTFS5811NLWFTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 40A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.996
NVTFS5820NLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1462pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile2.880
NVTFS5820NLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1462pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile5.544
NVTFS5820NLWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 37A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1462pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile2.664
NVTFS5820NLWFTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 37A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1462pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.302
NVTFS5824NLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.190
NVTFS5824NLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.672
NVTFS5824NLWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.910
NVTFS5824NLWFTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.960
NVTFS5826NLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 22W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.050
NVTFS5826NLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 22W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.572
NVTFS5826NLWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 22W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile24.150
NVTFS5826NLWFTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 22W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.716
NVTFS5C453NLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 107A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.614
NVTFS5C453NLWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 107A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile2.574
NVTFS5C454NLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.424
NVTFS5C454NLWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile24.570
NVTFS5C460NLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 74A Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 74A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.496
NVTFS5C460NLWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 74A Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 74A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile6.084

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