Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NVTFS005N04CTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V SG NCH U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.172
NVTFS008N04CTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V SG NCH U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.290
NVTFS010N10MCLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PTNG 100V Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.418
NVTFS015N04CTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 27A Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.694
NVTFS4823NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.626
NVTFS4823NTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile6.480
NVTFS4823NWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile12.252
NVTFS4823NWFTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.564
NVTFS4824NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile13.536
NVTFS4824NTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.294
NVTFS4824NWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 69A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile6.696
NVTFS4824NWFTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 69A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.528
NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 75A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 102A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1988pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile12.420
NVTFS4C05NWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 22A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 102A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1988pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile16.086
NVTFS4C06NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 71A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1683pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile6.426
NVTFS4C06NTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 71A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1683pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.294
NVTFS4C06NWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 71A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1683pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.776
NVTFS4C06NWFTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 71A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1683pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile5.040
NVTFS4C08NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 55A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1113pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.330
NVTFS4C08NTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 55A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1113pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.128
NVTFS4C08NWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 55A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1113pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.122
NVTFS4C08NWFTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 55A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1113pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.118
NVTFS4C10NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 44A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.3A (Ta), 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 993pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.482
NVTFS4C10NWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 15.3A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.3A (Ta), 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 993pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.598
NVTFS4C13NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.806
NVTFS4C13NTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.496
NVTFS4C13NWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile6.012
NVTFS4C13NWFTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.424
NVTFS4C25NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 27A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.1A (Ta), 22.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 14.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.578
NVTFS4C25NWFTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.1A (Ta), 22.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 14.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile12.876

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