Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NVHL027N65S3F ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SUPERFET3 650V TO247 PKG Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7780pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.436
NVHL040N65S3F ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SUPERFET3 650V TO247 PKG Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5875pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 446W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile9.756
NVHL072N65S3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SUPERFET3 650V TO247 PKG Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 312W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.532
NVHL080N120SC1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SIC MOS TO247-3L 80MW 120 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V Vgs (massimo): +25V, -15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 348W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.856
NVHL082N65S3F ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SUPERFET3 650V FRFET82MO Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3410pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 313W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.906
NVHL110N65S3F ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SUPERFET3 650V FRFET110M Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2560pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 240W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.160
NVJS3151PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.646
NVJS4151PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363 Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile59.400
NVJS4405NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 630mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363 Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile2.682
NVLUS4C12NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1172pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 630mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile3.204
NVMFD6H852NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET NCH 80V Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 521pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.642
NVMFD6H852NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET NCH 80V Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 521pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.788
NVMFS4841NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 89A SO-8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1436pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 112W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile6.354
NVMFS4841NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1436pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 112W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.016
NVMFS4C01NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Ta), 319A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10144pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.84W (Ta), 161W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.204
NVMFS4C01NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Ta), 319A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10144pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.84W (Ta), 161W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.886
NVMFS4C01NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Ta), 319A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10144pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.84W (Ta), 161W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.428
NVMFS4C01NWFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Ta), 319A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10144pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.84W (Ta), 161W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.010
NVMFS4C03NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31.4A (Ta), 143A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3071pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.71W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile13.848
NVMFS4C03NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31.4A (Ta), 143A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3071pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.71W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.340
NVMFS4C03NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31.4A (Ta), 143A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3071pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.71W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.544
NVMFS4C03NWFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31.4A (Ta), 143A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3071pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.71W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.552
NVMFS4C05NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24.7A (Ta), 116A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1972pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.61W (Ta), 79W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.398
NVMFS4C05NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24.7A (Ta), 116A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1972pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.61W (Ta), 79W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile41.616
NVMFS4C05NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24.7A (Ta), 116A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1972pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.61W (Ta), 79W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile16.932
NVMFS4C05NWFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24.7A (Ta), 116A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1972pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.61W (Ta), 79W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.946
NVMFS4C302NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NFET SO8FL 30V 1.15MO Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Ta), 241A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5780pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 115W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile2.646
NVMFS4C302NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NFET SO8FL 30V 1.15MO Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Ta), 241A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5780pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 115W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile6.408
NVMFS4C310NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V TRENCH Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile14.154
NVMFS4C310NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V TRENCH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.814

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