NVMFD6H852NLT1G
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| Numero parte | NVMFD6H852NLT1G |
| PNEDA Part # | NVMFD6H852NLT1G |
| Descrizione | FET NCH 80V |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.642 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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NVMFD6H852NLT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVMFD6H852NLT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NVMFD6H852NLT1G, NVMFD6H852NLT1G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 126,63 KB)
  
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NVMFD6H852NLT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta), 25A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 26µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 521pF @ 40V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.2W (Ta), 38W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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