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Transistor

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NP23N06YDG-E1-AY
NP23N06YDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 11.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 60W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSON
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Disponibile5.832
NP28N10SDE-E1-AY
NP28N10SDE-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile8.892
NP32N055SDE-E1-AZ
NP32N055SDE-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.582
NP32N055SLE-E1-AY
NP32N055SLE-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 32A TO-252

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 66W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 (MP-3ZK)
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile4.446
NP32N055SLE-E1-AZ
NP32N055SLE-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile6.048
NP33N06YDG-E1-AY
NP33N06YDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 16.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 97W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSON
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Disponibile3.672
NP33N075YDF-E1-AY
NP33N075YDF-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile4.554
NP34N055SLE-E1-AY
NP34N055SLE-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 34A TO-252

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 88W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 (MP-3ZK)
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile5.292
NP35N04YUG-E1-AY
NP35N04YUG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 17.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 77W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSON
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Disponibile2.538
NP36P04KDG-E1-AY
NP36P04KDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 40V 36A TO-263

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile7.776
NP36P04SDG-E1-AY
NP36P04SDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 40V 36A TO-252

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 (MP-3ZK)
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile6.768
NP36P06KDG-E1-AY
NP36P06KDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 36A TO-263

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.466
NP36P06SLG-E1-AY
NP36P06SLG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 36A TO-252

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 (MP-3ZK)
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile8.208
NP40N055KHE-E1-AY
NP40N055KHE-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile8.856
NP40N10PDF-E1-AY
NP40N10PDF-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 40A TO-263

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak)
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile7.596
NP40N10VDF-E1-AY
NP40N10VDF-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile8.802
NP40N10VDF-E2-AY
NP40N10VDF-E2-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile7.902
NP40N10YDF-E1-AY
NP40N10YDF-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 120W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSON
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN
Disponibile2.862
NP48N055KHE-E1-AY
NP48N055KHE-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile5.562
NP48N055KLE-E1-AY
NP48N055KLE-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 48A TO-263

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 24A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 85W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile3.492
NP48N055ZHE(1)W-U
NP48N055ZHE(1)W-U

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile6.030
NP48N055ZLE(1)W-U
NP48N055ZLE(1)W-U

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.544
NP50P03YDG-E1-AY
NP50P03YDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 102W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSON
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Disponibile8.010
NP50P04KDG-E1-AY
NP50P04KDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 40V 50A TO-263

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile3.078
NP50P04SDG-E1-AY
NP50P04SDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 40V 50A TO-252

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 (MP-3ZK)
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile8.730
NP50P06KDG-E1-AY
NP50P06KDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 50A TO-263

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile6.750
NP52N055SUG-E1-AY
NP52N055SUG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 52A TO-252

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 (MP-3ZK)
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile5.058
NP55N03SUG-E1-AY
NP55N03SUG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 55A TO-252

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 28A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 (MP-3ZK)
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile3.204
NP55N055SDG-E1-AY
NP55N055SDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 55A TO-252

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 28A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 (MP-3ZK)
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile5.994
NP55N055SDG-E2-AY
NP55N055SDG-E2-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.454