NP33N06YDG-E1-AY
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| Numero parte | NP33N06YDG-E1-AY |
| PNEDA Part # | NP33N06YDG-E1-AY |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.672 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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NP33N06YDG-E1-AY Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NP33N06YDG-E1-AY |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NP33N06YDG-E1-AY, NP33N06YDG-E1-AY Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 223,42 KB)
  
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NP33N06YDG-E1-AY Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 16.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta), 97W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSON |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
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