Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IPI90R500C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 11A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile4.032
IPI90R500C3XKSA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.120
IPI90R800C3 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile7.974
IPI90R800C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile3.996
IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.438
IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.488
IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2895pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 201W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile2.034
IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CFD7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2721pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 189W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile2.394
IPL60R085P7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 11.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 154W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile5.652
IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.822
IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1819pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 122W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile4.122
IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1952pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 137W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile28.956
IPL60R115CFD7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.190
IPL60R125C7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 103W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile6.660
IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1544pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 111W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile5.076
IPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.902
IPL60R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.596
IPL60R180P6AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2080pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 176W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile4.572
IPL60R185C7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 77W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile3.906
IPL60R185CFD7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CFD7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1199pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile6.858
IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 81W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile56.532
IPL60R199CPAUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1520pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile8.082
IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8TSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 26.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Thin-PAK (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.898
IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 151W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile8.244
IPL60R255P6AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 126W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile4.770
IPL60R285P7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 761pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 59W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile6.588
IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile3.870
IPL60R2K1C6SATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8TSON Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 21.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Thin-PAK (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.132
IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 8THINPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 89.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ThinPak (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.310
IPL60R365P7AUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 46W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-VSON-4 Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN	Disponibile52.950

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