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IPL60R185C7AUMA1

IPL60R185C7AUMA1

Solo per riferimento

Numero parte IPL60R185C7AUMA1
PNEDA Part # IPL60R185C7AUMA1
Descrizione MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.906
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IPL60R185C7AUMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIPL60R185C7AUMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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IPL60R185C7AUMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieCoolMOS™ C7
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs185mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1080pF @ 400V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)77W (Tc)
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-VSON-4
Pacchetto / Custodia4-PowerTSFN

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FDMC7660

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta), 40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4830pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta), 41W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Power33

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

SIHH26N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

116nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2815pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

202W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 8 x 8

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

SSM3K15AMFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13.5pF @ 3V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

VESM

Pacchetto / Custodia

SOT-723

PHK13N03LT,518

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.7nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

752pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

6.25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 118µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13000pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

188W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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