Transistor

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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FQU7P06TU_NB82048 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.316
FQU7P20TU ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile4.248
FQU7P20TU_AM002 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile4.788
FQU8N25TU ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile2.286
FQU8P10TU ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile36.540
FQU9N25TU ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile49.710
GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) (95°C) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 15W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AB Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.556
GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) (95°C) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 106W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AB Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.172
GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 100V 9A Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 225°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-46 Pacchetto / Custodia: TO-46-3	Disponibile6.156
GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 300V 9A Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 225°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-46 Pacchetto / Custodia: TO-46-3	Disponibile4.752
GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1200V 5A Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 106W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AB Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.896
GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1200V 15A Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 106W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK (7-Lead) Pacchetto / Custodia: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	Disponibile20.400
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) (90°C) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 6A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AB Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.194
GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) (90°C) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AB Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile14.616
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1200V 160A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 535W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.334
GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1700V 160A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 535W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.694
GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1.2KV 10A Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 170W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AB Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.020
GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1200V 25A Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1403pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 170W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile17.196
GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1403pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 170W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK (7-Lead) Pacchetto / Custodia: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	Disponibile8.496
GA16JT17-247 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) (90°C) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 282W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AB Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.460
GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1.2KV 20A Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 282W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AB Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.862
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1200V 45A Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3091pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 282W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK (7-Lead) Pacchetto / Custodia: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	Disponibile7.794
GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1200V 45A TO247 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3091pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 282W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AB Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.074
GA50JT06-258 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 600V 100A Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 769W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 225°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-258 Pacchetto / Custodia: TO-258-3, TO-258AA	Disponibile6.300
GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1.2KV 50A Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7209pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 583W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AB Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.024
GA50JT12-263 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.562
GA50JT17-247 GeneSiC Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS SJT 1.7KV 100A Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 583W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.358
GKI03026 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4010pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.580
GKI03039 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 47.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2460pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 59W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.904
GKI03061 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.196

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