GA20JT12-247
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Numero parte | GA20JT12-247 |
PNEDA Part # | GA20JT12-247 |
Descrizione | TRANS SJT 1.2KV 20A |
Produttore | GeneSiC Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.862 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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GA20JT12-247 Risorse
Brand | GeneSiC Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | GA20JT12-247 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
GA20JT12-247, GA20JT12-247 Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 1.298,09 KB)
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GA20JT12-247 Specifiche
Produttore | GeneSiC Semiconductor |
Serie | - |
Tipo FET | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 20A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 282W (Tc) |
Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AB |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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