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Circuiti integrati di memoria

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Numero parte
Descrizione
Disponibile
Quantità
IS61LP6432A-133TQ
IS61LP6432A-133TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile4.806
IS61LP6432A-133TQLI
IS61LP6432A-133TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile7.488
IS61LP6432A-133TQLI-TR
IS61LP6432A-133TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile5.508
IS61LP6432A-133TQ-TR
IS61LP6432A-133TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile5.544
IS61LP6436A-133TQ
IS61LP6436A-133TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile4.914
IS61LP6436A-133TQLI
IS61LP6436A-133TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile4.950
IS61LP6436A-133TQLI-TR
IS61LP6436A-133TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile4.860
IS61LP6436A-133TQ-TR
IS61LP6436A-133TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile8.388
IS61LPD102418A-200B3I
IS61LPD102418A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile7.920
IS61LPD102418A-200B3I-TR
IS61LPD102418A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile6.390
IS61LPD102418A-200TQI
IS61LPD102418A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile7.866
IS61LPD102418A-200TQI-TR
IS61LPD102418A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile8.478
IS61LPD102418A-250B3
IS61LPD102418A-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 2.6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile3.222
IS61LPD102418A-250B3I
IS61LPD102418A-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 2.6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile4.932
IS61LPD102418A-250B3I-TR
IS61LPD102418A-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 2.6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile8.244
IS61LPD102418A-250B3-TR
IS61LPD102418A-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 2.6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile8.676
IS61LPD25636A-200TQLI
IS61LPD25636A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile8.028
IS61LPD25636A-200TQLI-TR
IS61LPD25636A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile7.056
IS61LPD51236A-200B3
IS61LPD51236A-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile7.182
IS61LPD51236A-200B3I
IS61LPD51236A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile2.556
IS61LPD51236A-200B3I-TR
IS61LPD51236A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile4.968
IS61LPD51236A-200B3-TR
IS61LPD51236A-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile8.244
IS61LPD51236A-200TQI
IS61LPD51236A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile6.426
IS61LPD51236A-200TQI-TR
IS61LPD51236A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile5.364
IS61LPD51236A-200TQLI
IS61LPD51236A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile5.742
IS61LPD51236A-200TQLI-TR
IS61LPD51236A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.1ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile2.448
IS61LPD51236A-250B3
IS61LPD51236A-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 2.6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile8.946
IS61LPD51236A-250B3I
IS61LPD51236A-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 2.6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile5.400
IS61LPD51236A-250B3I-TR
IS61LPD51236A-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 2.6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile4.932
IS61LPD51236A-250B3LI
IS61LPD51236A-250B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 2.6ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)
Disponibile5.418