Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS61LF51218B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile7.236
IS61LF51218B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile3.150
IS61LF51236A-6.5B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile2.088
IS61LF51236A-6.5B2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile4.338
IS61LF51236A-6.5B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile2.502
IS61LF51236A-6.5B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile7.704
IS61LF51236A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile7.506
IS61LF51236A-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile8.478
IS61LF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile8.406
IS61LF51236A-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile8.298
IS61LF51236A-7.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile2.862
IS61LF51236A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile3.294
IS61LF51236A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile4.932
IS61LF51236A-7.5B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile3.708
IS61LF51236A-7.5B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile5.562
IS61LF51236A-7.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile8.136
IS61LF51236A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile3.348
IS61LF51236A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.786
IS61LF51236A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile3.330
IS61LF51236A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.490
IS61LF51236B-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile3.762
IS61LF51236B-6.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile8.334
IS61LF51236B-7.5B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 117MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile2.466
IS61LF51236B-7.5B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 117MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile8.244
IS61LF51236B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile7.686
IS61LF51236B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile5.850
IS61LF6436A-8.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 90MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.678
IS61LF6436A-8.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 90MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.786
IS61LF6436A-8.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 90MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile3.852
IS61LF6436A-8.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 90MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.688

IS61LF51218B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile7.236

IS61LF51218B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile3.150

IS61LF51236A-6.5B2I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile2.088

IS61LF51236A-6.5B2I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile4.338

IS61LF51236A-6.5B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile2.502

IS61LF51236A-6.5B2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile7.704

IS61LF51236A-6.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile7.506

IS61LF51236A-6.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile8.478

IS61LF51236A-6.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile8.406

IS61LF51236A-6.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile8.298

IS61LF51236A-7.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile2.862

IS61LF51236A-7.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile3.294

IS61LF51236A-7.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile4.932

IS61LF51236A-7.5B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile3.708

IS61LF51236A-7.5B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile5.562

IS61LF51236A-7.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile8.136

IS61LF51236A-7.5TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile3.348

IS61LF51236A-7.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.786

IS61LF51236A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile3.330

IS61LF51236A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.490

IS61LF51236B-6.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile3.762

IS61LF51236B-6.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile8.334

IS61LF51236B-7.5B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 117MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile2.466

IS61LF51236B-7.5B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 117MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile8.244

IS61LF51236B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile7.686

IS61LF51236B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile5.850

IS61LF6436A-8.5TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 90MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.678

IS61LF6436A-8.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 90MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.786

IS61LF6436A-8.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 90MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile3.852

IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 90MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.688

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