Circuiti integrati di memoria

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IS41LV16100B-60KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 30ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile8.226
IS41LV16100B-60KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 30ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile3.852
IS41LV16100B-60TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 30ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.628
IS41LV16100B-60TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 30ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.256
IS41LV16100B-60TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 30ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile7.506
IS41LV16100B-60TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 30ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.094
IS41LV16100C-50KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile2.476
IS41LV16100C-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile6.462
IS41LV16100C-50TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 2.97V ~ 3.63V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 50/44-TSOP II	Disponibile5.940
IS41LV16100C-50TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 2.97V ~ 3.63V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 50/44-TSOP II	Disponibile6.210
IS41LV16100C-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.510
IS41LV16100C-50TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.006
IS41LV16100D-50KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile7.632
IS41LV16100D-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile3.888
IS41LV16100D-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 50/44-TSOP II	Disponibile5.346
IS41LV16100D-50TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - EDO Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 50/44-TSOP II	Disponibile4.590
IS41LV16105B-50KL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile8.352
IS41LV16105B-50KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile8.172
IS41LV16105B-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile7.470
IS41LV16105B-50KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile5.454
IS41LV16105B-50TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.636
IS41LV16105B-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile4.068
IS41LV16105B-50TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.238
IS41LV16105B-50TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.784
IS41LV16105B-60KL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 30ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile6.372
IS41LV16105B-60KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 30ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile3.600
IS41LV16105B-60KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 30ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile5.040
IS41LV16105B-60KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 30ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ	Disponibile6.912
IS41LV16105B-60TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 30ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.040
IS41LV16105B-60TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM - FP Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 30ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.580

IS41LV16100B-60KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 30ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile8.226

IS41LV16100B-60KL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 30ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile3.852

IS41LV16100B-60TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 30ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.628

IS41LV16100B-60TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 30ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.256

IS41LV16100B-60TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 30ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile7.506

IS41LV16100B-60TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 30ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.094

IS41LV16100C-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile2.476

IS41LV16100C-50KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile6.462

IS41LV16100C-50TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 2.97V ~ 3.63V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
Pacchetto dispositivo fornitore: 50/44-TSOP II

Disponibile5.940

IS41LV16100C-50TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 2.97V ~ 3.63V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
Pacchetto dispositivo fornitore: 50/44-TSOP II

Disponibile6.210

IS41LV16100C-50TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.510

IS41LV16100C-50TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.006

IS41LV16100D-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile7.632

IS41LV16100D-50KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile3.888

IS41LV16100D-50TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
Pacchetto dispositivo fornitore: 50/44-TSOP II

Disponibile5.346

IS41LV16100D-50TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
Pacchetto dispositivo fornitore: 50/44-TSOP II

Disponibile4.590

IS41LV16105B-50KL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile8.352

IS41LV16105B-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile8.172

IS41LV16105B-50KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile7.470

IS41LV16105B-50KL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile5.454

IS41LV16105B-50TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.636

IS41LV16105B-50TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile4.068

IS41LV16105B-50TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.238

IS41LV16105B-50TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.784

IS41LV16105B-60KL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 30ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile6.372

IS41LV16105B-60KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 30ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile3.600

IS41LV16105B-60KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 30ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile5.040

IS41LV16105B-60KL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 30ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

Disponibile6.912

IS41LV16105B-60TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 30ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.040

IS41LV16105B-60TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - FP
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 30ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.580

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