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Circuiti integrati di memoria

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Disponibile
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IS29GL256S-10TFV010
IS29GL256S-10TFV010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 256M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile5.292
IS29GL256S-10TFV013
IS29GL256S-10TFV013

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 256M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile3.348
IS29GL256S-10TFV01-TR
IS29GL256S-10TFV01-TR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 256M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile2.430
IS29GL256S-10TFV02
IS29GL256S-10TFV02

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 256M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile7.938
IS29GL256S-10TFV020
IS29GL256S-10TFV020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 256M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile7.632
IS29GL256S-10TFV023
IS29GL256S-10TFV023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 256M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile6.534
IS29GL256S-10TFV02-TR
IS29GL256S-10TFV02-TR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 256M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile8.514
IS29GL512S-11DHB01
IS29GL512S-11DHB01

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile8.064
IS29GL512S-11DHB010
IS29GL512S-11DHB010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile6.264
IS29GL512S-11DHB013
IS29GL512S-11DHB013

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile4.752
IS29GL512S-11DHB01-TR
IS29GL512S-11DHB01-TR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile4.356
IS29GL512S-11DHB02
IS29GL512S-11DHB02

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile6.030
IS29GL512S-11DHB020
IS29GL512S-11DHB020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile3.474
IS29GL512S-11DHB023
IS29GL512S-11DHB023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile4.266
IS29GL512S-11DHB02-TR
IS29GL512S-11DHB02-TR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile8.910
IS29GL512S-11DHV01
IS29GL512S-11DHV01

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile4.248
IS29GL512S-11DHV010
IS29GL512S-11DHV010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile8.622
IS29GL512S-11DHV013
IS29GL512S-11DHV013

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile4.554
IS29GL512S-11DHV01-TR
IS29GL512S-11DHV01-TR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile2.754
IS29GL512S-11DHV02
IS29GL512S-11DHV02

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile2.610
IS29GL512S-11DHV020
IS29GL512S-11DHV020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile4.032
IS29GL512S-11DHV023
IS29GL512S-11DHV023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile7.128
IS29GL512S-11DHV02-TR
IS29GL512S-11DHV02-TR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile6.084
IS29GL512S-11TFV01
IS29GL512S-11TFV01

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile4.680
IS29GL512S-11TFV010
IS29GL512S-11TFV010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile8.028
IS29GL512S-11TFV013
IS29GL512S-11TFV013

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile4.806
IS29GL512S-11TFV01-TR
IS29GL512S-11TFV01-TR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile2.808
IS29GL512S-11TFV02
IS29GL512S-11TFV02

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile8.424
IS29GL512S-11TFV020
IS29GL512S-11TFV020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile6.336
IS29GL512S-11TFV023
IS29GL512S-11TFV023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile3.708