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Disponibile
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FT93C56A-UDR-B
FT93C56A-UDR-B

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8DIP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DIP
Disponibile14.490
FT93C56A-USR-B
FT93C56A-USR-B

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SOP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile18.204
FT93C56A-USR-T
FT93C56A-USR-T

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SOP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile7.758
FT93C56A-UTR-B
FT93C56A-UTR-B

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8TSSOP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile18.024
FT93C56A-UTR-T
FT93C56A-UTR-T

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8TSSOP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile6.912
FT93C66A-IDR-B
FT93C66A-IDR-B

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8DIP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DIP
Disponibile5.238
FT93C66A-ISR-B
FT93C66A-ISR-B

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile4.410
FT93C66A-ISR-T
FT93C66A-ISR-T

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile5.490
FT93C66A-ITR-B
FT93C66A-ITR-B

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile6.084
FT93C66A-ITR-T
FT93C66A-ITR-T

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile2.394
FT93C66A-UDR-B
FT93C66A-UDR-B

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8DIP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DIP
Disponibile7.668
FT93C66A-USR-B
FT93C66A-USR-B

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile20.436
FT93C66A-USR-T
FT93C66A-USR-T

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile8.262
FT93C66A-UTR-B
FT93C66A-UTR-B

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile17.916
FT93C66A-UTR-T
FT93C66A-UTR-T

Fremont Micro Devices Ltd

Memoria

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP

  • Produttore: Fremont Micro Devices Ltd
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 2MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile56.202
GD25D05CEIGR
GD25D05CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile21.600
GD25D05CKIGR
GD25D05CKIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (1.5x1.5)
Disponibile29.004
GD25D05CTIG
GD25D05CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile4.698
GD25D05CTIGR
GD25D05CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile21.936
GD25D10CEIGR
GD25D10CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile25.290
GD25D10CKIGR
GD25D10CKIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

1MBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45MM

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (1.5x1.5)
Disponibile28.974
GD25D10CTIG
GD25D10CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile3.528
GD25D10CTIGR
GD25D10CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile29.034
GD25D80CKIGR
GD25D80CKIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

8MBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45MM

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (1.5x1.5)
Disponibile24.432
GD25LD05CEIGR
GD25LD05CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 50MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55µs, 6ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile3.366
GD25LD05CTIGR
GD25LD05CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 50MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55µs, 6ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile7.380
GD25LD10CEIGR
GD25LD10CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 50MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55µs, 6ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile8.280
GD25LD10CTIGR
GD25LD10CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 50MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55µs, 6ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile4.590
GD25LD20CEIGR
GD25LD20CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 50MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 97µs, 6ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile4.032
GD25LD20COIGR
GD25LD20COIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Dual I/O
  • Frequenza di clock: 50MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 97µs, 6ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Disponibile7.326