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FT93C66A-UDR-B

FT93C66A-UDR-B

Solo per riferimento

Numero parte FT93C66A-UDR-B
PNEDA Part # FT93C66A-UDR-B
Descrizione IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8DIP
Produttore Fremont Micro Devices Ltd
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.668
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FT93C66A-UDR-B Risorse

Brand Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFT93C66A-UDR-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
FT93C66A-UDR-B, FT93C66A-UDR-B Datasheet (Totale pagine: 23, Dimensioni: 209,92 KB)
PDFFT93C66A-ITR-T Datasheet Copertura
FT93C66A-ITR-T Datasheet Pagina 2 FT93C66A-ITR-T Datasheet Pagina 3 FT93C66A-ITR-T Datasheet Pagina 4 FT93C66A-ITR-T Datasheet Pagina 5 FT93C66A-ITR-T Datasheet Pagina 6 FT93C66A-ITR-T Datasheet Pagina 7 FT93C66A-ITR-T Datasheet Pagina 8 FT93C66A-ITR-T Datasheet Pagina 9 FT93C66A-ITR-T Datasheet Pagina 10 FT93C66A-ITR-T Datasheet Pagina 11

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FT93C66A-UDR-B Specifiche

ProduttoreFremont Micro Devices Ltd
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria4Kb (512 x 8, 256 x 16)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock2MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-DIP

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

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Non-Volatile

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EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

CY14B108N-ZSP45XIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

IS43LR32320B-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-LFBGA (8x13)

MT29F1T08CLHBBG1-3R:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

272-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

272-VBGA (14x18)

CAV25640VE-GT3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

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