Circuiti integrati di memoria

F640BFHEPTTLHFA

Sharp Microelectronics

Memoria

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

• Produttore: Sharp Microelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - Boot Block
• Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP

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F640SPHT-PTLZ8

Sharp Microelectronics

Memoria

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

• Produttore: Sharp Microelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH
• Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
• Tempo di accesso: 120ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP

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F800BJHEPBTLT9

Sharp Microelectronics

Memoria

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

• Produttore: Sharp Microelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - Boot Block
• Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns
• Tempo di accesso: 90ns
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP

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F800BJHEPTTL90

Sharp Microelectronics

Memoria

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

• Produttore: Sharp Microelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - Boot Block
• Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns
• Tempo di accesso: 90ns
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP

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F800BJHEPTTLT6

Sharp Microelectronics

Memoria

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

• Produttore: Sharp Microelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - Boot Block
• Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns
• Tempo di accesso: 90ns
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP

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FM1608B-SG

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 64K PARALLEL 28SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 130ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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FM1608B-SGTR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 64K PARALLEL 28SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 130ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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FM16W08-PG

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 64K PARALLEL 28DIP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 130ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-PDIP

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FM16W08-SG

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 64K PARALLEL 28SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 130ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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FM16W08-SGT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 16K I2C 1MHZ 8SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 130ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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FM16W08-SGTR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 64K PARALLEL 28SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 130ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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FM16W08-SGTRT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 4K SPI 20MHZ 8SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 130ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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FM1808B-PG

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 256K PARALLEL 28DIP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 130ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-DIP

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FM1808B-SG

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 130ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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FM1808B-SGTR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 130ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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FM18W08-SG

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 130ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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FM18W08-SGTR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 130ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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FM21L16-60-TG

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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FM21L16-60-TGTR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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FM21LD16-60-BG

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 2M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)

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FM21LD16-60-BGTR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 2M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)

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FM22L16-55-TG

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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FM22L16-55-TGTR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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FM22LD16-55-BG

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)

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FM22LD16-55-BGTR

Ramtron

Memoria

IC FRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Ramtron
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)

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FM22LD16-55-BGTR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)

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FM23MLD16-60-BG

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 8M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 115ns
• Tempo di accesso: 115ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)

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FM24C04B-G

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 4K I2C 1MHZ 8SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: F-RAM™
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8)
• Interfaccia di memoria: I²C
• Frequenza di clock: 1MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 550ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

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FM24C04B-G2

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 4K I2C 1MHZ 8SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

FM24C04B-G2TR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 4K I2C 1MHZ 8SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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