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FM21LD16-60-BGTR

FM21LD16-60-BGTR

Solo per riferimento

Numero parte FM21LD16-60-BGTR
PNEDA Part # FM21LD16-60-BGTR
Descrizione IC FRAM 2M PARALLEL 48FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.480
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FM21LD16-60-BGTR Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFM21LD16-60-BGTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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FM21LD16-60-BGTR Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieF-RAM™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFRAM
TecnologiaFRAM (Ferroelectric RAM)
Dimensione della memoria2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina110ns
Tempo di accesso110ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-FBGA (6x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QUADP

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.4ns

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-LFBGA (15x17)

IDT71V67802S133PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

S29AL016J70TFA013

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, AL-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

IS71LD32160WP128-3BPLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NOR, DRAM - LPDDR2

Dimensione della memoria

128Mb Flash, 512Mb DRAM

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.2V, 1.8V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

168-BGA

AT24C16D-MAHM-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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