Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
CY7C1471V33-133AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile4.806
CY7C1472BV25-200AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.900
CY7C1472BV25-200AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.552
CY7C1472BV25-200BZI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)	Disponibile287
CY7C1472BV25-200BZIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)	Disponibile8.010
CY7C1472BV25-250BZC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)	Disponibile6.642
CY7C1472BV33-167AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile262
CY7C1472BV33-167BZC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)	Disponibile6.066
CY7C1472BV33-167BZCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)	Disponibile6.570
CY7C1472BV33-200AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile3.276
CY7C1472BV33-200BZC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)	Disponibile5.940
CY7C1472BV33-200BZCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)	Disponibile3.436
CY7C1472BV33-200BZXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)	Disponibile2.196
CY7C1472V25-200AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile187
CY7C1472V25-200AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile2.304
CY7C1472V25-250BZC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)	Disponibile2.160
CY7C1472V33-167AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.064
CY7C1472V33-167AXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.514
CY7C1472V33-200AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile96
CY7C1472V33-200AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.712
CY7C1473BV33-133AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.850
CY7C1474BV25-167BGC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)	Disponibile2.772
CY7C1474BV25-167BGCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)	Disponibile3.078
CY7C1474BV25-167BGI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)	Disponibile6.192
CY7C1474BV25-167BGIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.4ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)	Disponibile7.560
CY7C1474BV25-200BGC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)	Disponibile4.662
CY7C1474BV25-200BGCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)	Disponibile5.274
CY7C1474BV25-200BGI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)	Disponibile4.212
CY7C1474BV25-200BGIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)	Disponibile6.606
CY7C1474BV25-200BGXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)	Disponibile2.646

CY7C1471V33-133AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile4.806

CY7C1472BV25-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.900

CY7C1472BV25-200AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.552

CY7C1472BV25-200BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)

Disponibile287

CY7C1472BV25-200BZIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)

Disponibile8.010

CY7C1472BV25-250BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)

Disponibile6.642

CY7C1472BV33-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile262

CY7C1472BV33-167BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)

Disponibile6.066

CY7C1472BV33-167BZCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)

Disponibile6.570

CY7C1472BV33-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile3.276

CY7C1472BV33-200BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)

Disponibile5.940

CY7C1472BV33-200BZCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)

Disponibile3.436

CY7C1472BV33-200BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)

Disponibile2.196

CY7C1472V25-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile187

CY7C1472V25-200AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile2.304

CY7C1472V25-250BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)

Disponibile2.160

CY7C1472V33-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.064

CY7C1472V33-167AXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.514

CY7C1472V33-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile96

CY7C1472V33-200AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.712

CY7C1473BV33-133AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.850

CY7C1474BV25-167BGC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 209-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)

Disponibile2.772

CY7C1474BV25-167BGCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 209-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)

Disponibile3.078

CY7C1474BV25-167BGI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 209-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)

Disponibile6.192

CY7C1474BV25-167BGIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.4ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 209-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)

Disponibile7.560

CY7C1474BV25-200BGC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 209-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)

Disponibile4.662

CY7C1474BV25-200BGCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 209-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)

Disponibile5.274

CY7C1474BV25-200BGI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 209-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)

Disponibile4.212

CY7C1474BV25-200BGIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 209-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)

Disponibile6.606

CY7C1474BV25-200BGXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (1M x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 209-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 209-FBGA (14x22)

Disponibile2.646

Send Message

Certifications

Circuiti integrati di memoria

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message