CY7C1474BV25-200BGCT
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| Numero parte | CY7C1474BV25-200BGCT |
| PNEDA Part # | CY7C1474BV25-200BGCT |
| Descrizione | IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.274 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY7C1474BV25-200BGCT Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY7C1474BV25-200BGCT |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CY7C1474BV25-200BGCT, CY7C1474BV25-200BGCT Datasheet
(Totale pagine: 29, Dimensioni: 884,12 KB)
  
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CY7C1474BV25-200BGCT Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | NoBL™ |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, SDR |
| Dimensione della memoria | 72Mb (1M x 72) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 3ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.375V ~ 2.625V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 209-BGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 209-FBGA (14x22) |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 4.5Mb (128K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 183MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.3ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 119-PBGA (14x22) |
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