Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
CY7C1049GN-10VXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile6.528
CY7C1049GN-10VXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile16.992
CY7C1049GN30-10VXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile14.964
CY7C1049GN30-10VXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile15.516
CY7C1049GN30-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.547
CY7C1049GN30-10ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile77.924
CY7C1051DV33-10BAXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)	Disponibile821
CY7C1051DV33-10BAXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)	Disponibile3.708
CY7C1051DV33-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile9.208
CY7C1051DV33-10ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.790
CY7C1051DV33-12BAXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)	Disponibile8.118
CY7C1051DV33-12BAXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)	Disponibile8.874
CY7C1051DV33-12ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.656
CY7C1051DV33-12ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.856
CY7C1051H30-10BV1XE Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile3.564
CY7C1051H30-10BV1XET Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile3.096
CY7C1051H30-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.424
CY7C1051H30-10ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.132
CY7C1059DV33-10BAXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 36FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 36-FBGA (7x8.5)	Disponibile8.136
CY7C1059DV33-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.071
CY7C1059DV33-10ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile12.331
CY7C1059DV33-12ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.826
CY7C1059DV33-12ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.690
CY7C1059DV33-12ZSXQ Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile217.422
CY7C1059DV33-12ZSXQT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile210.522
CY7C10612DV33-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile3.744
CY7C10612DV33-10ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile8.064
CY7C10612G30-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile14.736
CY7C10612G30-10ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile4.194
CY7C10612GE30-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile4.518

CY7C1049GN-10VXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile6.528

CY7C1049GN-10VXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile16.992

CY7C1049GN30-10VXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile14.964

CY7C1049GN30-10VXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile15.516

CY7C1049GN30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.547

CY7C1049GN30-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile77.924

CY7C1051DV33-10BAXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)

Disponibile821

CY7C1051DV33-10BAXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)

Disponibile3.708

CY7C1051DV33-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile9.208

CY7C1051DV33-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.790

CY7C1051DV33-12BAXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)

Disponibile8.118

CY7C1051DV33-12BAXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x8)

Disponibile8.874

CY7C1051DV33-12ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.656

CY7C1051DV33-12ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.856

CY7C1051H30-10BV1XE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile3.564

CY7C1051H30-10BV1XET

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile3.096

CY7C1051H30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.424

CY7C1051H30-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.132

CY7C1059DV33-10BAXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 36FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-FBGA (7x8.5)

Disponibile8.136

CY7C1059DV33-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.071

CY7C1059DV33-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile12.331

CY7C1059DV33-12ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.826

CY7C1059DV33-12ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.690

CY7C1059DV33-12ZSXQ

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile217.422

CY7C1059DV33-12ZSXQT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile210.522

CY7C10612DV33-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile3.744

CY7C10612DV33-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile8.064

CY7C10612G30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile14.736

CY7C10612G30-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile4.194

CY7C10612GE30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile4.518

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