Circuiti integrati di memoria

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CY7C1041GE30-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile6.888
CY7C1041GE30-10ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile7.254
CY7C1041GN-10VXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ	Disponibile17.232
CY7C1041GN-10VXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ	Disponibile7.344
CY7C1041GN-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile6.456
CY7C1041GN-10ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.634
CY7C1041GN30-10BVJXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile6.858
CY7C1041GN30-10BVJXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile3.600
CY7C1041GN30-10BVXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile16.032
CY7C1041GN30-10BVXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile5.490
CY7C1041GN30-10VXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ	Disponibile2.430
CY7C1041GN30-10VXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ	Disponibile6.516
CY7C1041GN30-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.761
CY7C1041GN30-10ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile15.278
CY7C1041LV33-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile17.598
CY7C1046CV33-12VXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (1M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ	Disponibile3.582
CY7C1046D-10VXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (1M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ	Disponibile7.686
CY7C1046D-10VXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (1M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ	Disponibile7.704
CY7C1046DV33-10VXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (1M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ	Disponibile91
CY7C1046DV33-10VXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (1M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ	Disponibile3.436
CY7C1049B-15VC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 15ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile3.400
CY7C1049B-15VXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 15ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile5.040
CY7C1049B-17VC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 17ns Tempo di accesso: 17ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile7.038
CY7C1049B-20VC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile6.520
CY7C1049B-20VXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile3.276
CY7C1049BL-17VC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 17ns Tempo di accesso: 17ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile5.364
CY7C1049BL-25VC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile3.598
CY7C1049BNL-17VC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 17ns Tempo di accesso: 17ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile8.052
CY7C1049BNL-17VCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 17ns Tempo di accesso: 17ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile6.912
CY7C1049CV33-10VXA Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile3.816

CY7C1041GE30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile6.888

CY7C1041GE30-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile7.254

CY7C1041GN-10VXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ

Disponibile17.232

CY7C1041GN-10VXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ

Disponibile7.344

CY7C1041GN-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile6.456

CY7C1041GN-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.634

CY7C1041GN30-10BVJXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile6.858

CY7C1041GN30-10BVJXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile3.600

CY7C1041GN30-10BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile16.032

CY7C1041GN30-10BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile5.490

CY7C1041GN30-10VXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ

Disponibile2.430

CY7C1041GN30-10VXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ

Disponibile6.516

CY7C1041GN30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.761

CY7C1041GN30-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile15.278

CY7C1041LV33-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: *
Tipo di memoria: -
Formato memoria: -
Tecnologia: -
Dimensione della memoria: -
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile17.598

CY7C1046CV33-12VXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (1M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ

Disponibile3.582

CY7C1046D-10VXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (1M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ

Disponibile7.686

CY7C1046D-10VXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (1M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ

Disponibile7.704

CY7C1046DV33-10VXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (1M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ

Disponibile91

CY7C1046DV33-10VXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (1M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ

Disponibile3.436

CY7C1049B-15VC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 15ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile3.400

CY7C1049B-15VXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 15ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile5.040

CY7C1049B-17VC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 17ns
Tempo di accesso: 17ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile7.038

CY7C1049B-20VC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile6.520

CY7C1049B-20VXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile3.276

CY7C1049BL-17VC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 17ns
Tempo di accesso: 17ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile5.364

CY7C1049BL-25VC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile3.598

CY7C1049BNL-17VC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 17ns
Tempo di accesso: 17ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile8.052

CY7C1049BNL-17VCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 17ns
Tempo di accesso: 17ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile6.912

CY7C1049CV33-10VXA

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile3.816

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