Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
CY62256NLL-55ZRXE Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile3.942
CY62256NLL-55ZRXET Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile6.102
CY62256NLL-55ZXA Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile20.268
CY62256NLL-55ZXAT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile4.806
CY62256NLL-55ZXE Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile5.130
CY62256NLL-55ZXET Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile4.860
CY62256NLL-55ZXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile19.811
CY62256NLL-55ZXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile7.956
CY62256NLL-70PXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-DIP	Disponibile11.208
CY62256NLL-70PXC Alliance Memory, Inc.	Memoria 256M SRAM, 28 DIP Produttore: Alliance Memory, Inc. Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-PDIP	Disponibile11.929
CY62256NLL-70SNXA Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC	Disponibile7.272
CY62256NLL-70SNXAT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC	Disponibile4.356
CY62256NLL-70SNXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC	Disponibile14.001
CY62256NLL-70SNXC Alliance Memory, Inc.	Memoria 256K LP SRAM 32KX8 4.5-5.5V 28PI Produttore: Alliance Memory, Inc. Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC	Disponibile8.371
CY62256NLL-70SNXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC	Disponibile95.821
CY62256NLL-70ZRXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile4.104
CY62256NLL-70ZRXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile5.706
CY62256VLL-70SNC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC	Disponibile5.850
CY62256VLL-70SNXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC	Disponibile5.580
CY62256VLL-70SNXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC	Disponibile4.932
CY62256VLL-70ZC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile8.964
CY62256VLL-70ZRXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile3.600
CY62256VLL-70ZRXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile4.338
CY62256VLL-70ZXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile3.312
CY62256VLL-70ZXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile1.149
CY62256VLL-70ZXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile8.640
CY62256VLL-70ZXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I	Disponibile8.442
CY62256VNLL-70SNXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC	Disponibile8.352
CY62256VNLL-70SNXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC	Disponibile6.480
CY62256VNLL-70SNXE Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC	Disponibile5.706

CY62256NLL-55ZRXE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile3.942

CY62256NLL-55ZRXET

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile6.102

CY62256NLL-55ZXA

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile20.268

CY62256NLL-55ZXAT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile4.806

CY62256NLL-55ZXE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile5.130

CY62256NLL-55ZXET

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile4.860

CY62256NLL-55ZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile19.811

CY62256NLL-55ZXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile7.956

CY62256NLL-70PXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-DIP

Disponibile11.208

CY62256NLL-70PXC

Alliance Memory, Inc.

Memoria

256M SRAM, 28 DIP

Produttore: Alliance Memory, Inc.
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-PDIP

Disponibile11.929

CY62256NLL-70SNXA

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

Disponibile7.272

CY62256NLL-70SNXAT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

Disponibile4.356

CY62256NLL-70SNXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

Disponibile14.001

CY62256NLL-70SNXC

Alliance Memory, Inc.

Memoria

256K LP SRAM 32KX8 4.5-5.5V 28PI

Produttore: Alliance Memory, Inc.
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

Disponibile8.371

CY62256NLL-70SNXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

Disponibile95.821

CY62256NLL-70ZRXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile4.104

CY62256NLL-70ZRXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile5.706

CY62256VLL-70SNC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

Disponibile5.850

CY62256VLL-70SNXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

Disponibile5.580

CY62256VLL-70SNXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

Disponibile4.932

CY62256VLL-70ZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile8.964

CY62256VLL-70ZRXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile3.600

CY62256VLL-70ZRXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile4.338

CY62256VLL-70ZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile3.312

CY62256VLL-70ZXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile1.149

CY62256VLL-70ZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile8.640

CY62256VLL-70ZXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-TSOP I

Disponibile8.442

CY62256VNLL-70SNXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

Disponibile8.352

CY62256VNLL-70SNXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

Disponibile6.480

CY62256VNLL-70SNXE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

Disponibile5.706

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