Circuiti integrati di memoria

CY62168EV30LL-45BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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CY62168EV30LL-45BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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CY62168G18-55BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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CY62168G18-55BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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CY62168G30-45BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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CY62168G30-45BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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CY62168GE30-45BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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CY62168GE30-45BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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CY62168GN30-45BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

MICROPOWER SRAMS

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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CY62168GN30-45BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

MICROPOWER SRAMS

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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CY62177DV30LL-55BAXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (8x9.5)

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CY62177DV30LL-55BAXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (8x9.5)

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CY62177ESL-55ZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

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CY62177ESL-55ZXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

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CY62177EV18LL-70BAXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (8x9.5)

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CY62177EV18LL-70BAXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (8x9.5)

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CY62177EV30LL-55BAXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.7V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (8x9.5)

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CY62177EV30LL-55BAXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.7V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (8x9.5)

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CY62177EV30LL-55ZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.7V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

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CY62177EV30LL-55ZXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.7V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

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CY62187EV18LL-70BAXI

Cypress Semiconductor

Memoria

MICROPOWER SRAMS

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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CY62187EV18LL-70BAXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

MICROPOWER SRAMS

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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CY62187EV30LL-55BAXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 64M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.7V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-LFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (8x9.5)

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CY62187EV30LL-55BAXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 64M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.7V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-LFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (8x9.5)

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CY62256EV18LL-70SNXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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CY62256EV18LL-70SNXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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CY62256L-70PC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-DIP

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CY62256L-70PXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-DIP

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CY62256L-70SNC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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CY62256L-70SNXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 28-SOIC

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